核心要點(diǎn)：

 

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之風(fēng)已至，政策環(huán)境利好國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移的過(guò)程中，半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化具有重要戰(zhàn)略意義。在國(guó)家政策與資金的支持下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)在技術(shù)積累和人才儲(chǔ)備方面都在快速增長(zhǎng)著。我們測(cè)算未來(lái)三年（2018至2020年）國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求分別至少為1,605億元、1712億元和1,056億元，其中國(guó)產(chǎn)設(shè)備將會(huì)有至少258億元的市場(chǎng)需求，隨著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的不斷進(jìn)行和新建產(chǎn)線的持續(xù)披露，預(yù)計(jì)會(huì)實(shí)現(xiàn)更快速的增長(zhǎng)。

 

國(guó)內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)張帶來(lái)被動(dòng)增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)化率提升促進(jìn)主動(dòng)突破。半導(dǎo)體行業(yè)正處于周期性向成長(zhǎng)性轉(zhuǎn)變的過(guò)程中，而作為上游的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也開(kāi)始了它的持續(xù)增長(zhǎng)之路，大陸在設(shè)備行業(yè)景氣度持續(xù)提升和國(guó)內(nèi)需求爆發(fā)的雙重作用下所孕育的絕佳土壤，為設(shè)備企業(yè)帶來(lái)了生長(zhǎng)機(jī)會(huì)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在2018至2020年的成長(zhǎng)主要來(lái)自于國(guó)內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)張所帶來(lái)設(shè)備需求的被動(dòng)拉動(dòng)，而隨著國(guó)家政策與資金的持續(xù)支持、高端制程的不斷突破，設(shè)備企業(yè)有望在2020年之后在國(guó)產(chǎn)化浪潮的推進(jìn)下持續(xù)進(jìn)步。

 

持續(xù)的、高強(qiáng)度的研發(fā)投入和核心技術(shù)的自主掌握始終是企業(yè)的安身立命之本。通過(guò)比較我們發(fā)現(xiàn)，在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，綜合型設(shè)備企業(yè)產(chǎn)品線豐富，憑借產(chǎn)品廣度形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力；專業(yè)型設(shè)備企業(yè)深耕某一個(gè)或幾個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，在該領(lǐng)域形成壟斷優(yōu)勢(shì)。在并購(gòu)風(fēng)格上，綜合型設(shè)備企業(yè)從事的并購(gòu)以多樣化并購(gòu)為主；專業(yè)型設(shè)備企業(yè)的并購(gòu)標(biāo)的多與公司所專注領(lǐng)域有關(guān)且在某一細(xì)分技術(shù)上具有比較優(yōu)勢(shì)。但是這些企業(yè)都有一個(gè)高度相同的地方——注重研發(fā)投入和自主創(chuàng)新，持續(xù)的、高強(qiáng)度的研發(fā)投入和核心技術(shù)的自主掌握始終是企業(yè)的安身立命之本。

 

1.國(guó)內(nèi)設(shè)備需求巨大，供需結(jié)構(gòu)亟待改善

 

1.1.半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中重要一環(huán)

 

集成電路是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，包括邏輯電路、存儲(chǔ)器、微處理器和模擬電路等四類，占據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模八成以上，其余為光電子、分立器件和傳感器。芯片作為集成電路的載體，是集成電路經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試后所呈現(xiàn)的獨(dú)立的實(shí)體。

從產(chǎn)業(yè)鏈的角度看，以集成電路為代表的半導(dǎo)體產(chǎn)品被廣泛用于消費(fèi)電子、通訊、工業(yè)自動(dòng)化等下游電子信息產(chǎn)業(yè)之中，同時(shí)也受到下游終端應(yīng)用結(jié)構(gòu)發(fā)展的推動(dòng)，下游應(yīng)用是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）的數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體銷售額自2016年8月以來(lái)已經(jīng)連續(xù)20個(gè)月實(shí)現(xiàn)了同比增長(zhǎng)。而根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，作為半導(dǎo)體下游驅(qū)動(dòng)的智能手機(jī)，年出貨量增速卻從2016年的5.06%下滑至2017年的2.77%，中國(guó)智能手機(jī)出貨量更是在2017年出現(xiàn)負(fù)增速，同比下降11.55%。半導(dǎo)體下游需求結(jié)構(gòu)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，未來(lái)將有可能逐漸從以智能手機(jī)與PC為驅(qū)動(dòng)逐漸向以人工智能、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域?yàn)轵?qū)動(dòng)轉(zhuǎn)化。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在發(fā)展過(guò)程中，逐漸形成了兩種商業(yè)模式：一種是集成器件制造模式（IDM模式），以英特爾為例，是將芯片從設(shè)計(jì)到投向市場(chǎng)的一系列步驟全部覆蓋的模式；另一種是垂直分工模式，將生產(chǎn)環(huán)節(jié)進(jìn)行垂直拆分，每一個(gè)環(huán)節(jié)由專門(mén)的廠家負(fù)責(zé)，例如做半導(dǎo)體設(shè)計(jì)的英偉達(dá)、高通等Fabless（無(wú)晶圓廠）企業(yè)，做Foundry（晶圓代工）的臺(tái)積電等。后者出現(xiàn)的標(biāo)志是1987年臺(tái)積電的成立，這也使得晶圓代工成為了臺(tái)灣地區(qū)標(biāo)志性產(chǎn)業(yè)。

 

這種模式產(chǎn)生的原因，源于半導(dǎo)體行業(yè)資本密集型和技術(shù)密集型的特點(diǎn)。由于半導(dǎo)體制造具有規(guī)模經(jīng)濟(jì)特性，擴(kuò)大產(chǎn)能便于企業(yè)降低成本，所需投資額十分巨大，一條產(chǎn)線的投資金額可達(dá)10億美元量級(jí)，這就增加了產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入壁壘。而臺(tái)積電的建立，降低了IC行業(yè)的準(zhǔn)入門(mén)檻，使得更多的中小型IC設(shè)計(jì)企業(yè)進(jìn)入市場(chǎng)，加快了半導(dǎo)體行業(yè)的繁榮。

 

1.2.集成電路制造工藝復(fù)雜，所需設(shè)備眾多

 

集成電路的制作，是將設(shè)計(jì)好的電路圖通過(guò)眾多復(fù)雜的工藝構(gòu)建在事先準(zhǔn)備好的硅片上，最終進(jìn)行封測(cè)的過(guò)程。而這整個(gè)一套過(guò)程，又需要半導(dǎo)體材料、設(shè)備和潔凈工程等上游產(chǎn)業(yè)鏈作為支撐。

IC設(shè)計(jì)是通過(guò)邏輯電路設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)特定功能的過(guò)程：先由品牌商等客戶的工程師與IC設(shè)計(jì)工程師接觸，提出設(shè)計(jì)要求，然后合作完成邏輯電路圖設(shè)計(jì)，并將設(shè)計(jì)圖轉(zhuǎn)化成電路圖，經(jīng)過(guò)軟件測(cè)試驗(yàn)證是否符合客戶規(guī)格要求，最后將電路圖以光罩的形式制作出來(lái)，用于下一步IC制造使用。整個(gè)過(guò)程主要在計(jì)算機(jī)中完成，故所需設(shè)備較少。

 

IC制造分為晶圓制造及加工。晶圓制造是指利用二氧化硅作為原材料制作單晶硅硅片的過(guò)程。具體來(lái)講，是先利用西門(mén)子工藝，將天然硅加工成用來(lái)制作芯片的高純硅，后者又被稱為半導(dǎo)體級(jí)硅或電子級(jí)硅，再利用CZ法等技術(shù)將半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅硅錠。對(duì)硅錠進(jìn)行一系列機(jī)械加工、化學(xué)處理、表面拋光和質(zhì)量測(cè)量后，可以得到用于下一步晶圓加工的硅片。

自20世紀(jì)50年代起，硅片直徑已經(jīng)從25mm發(fā)展到了300mm，這意味著單一硅片上可以生產(chǎn)出更多的硅片。根據(jù)《半導(dǎo)體制造技術(shù)》，通過(guò)這種規(guī)模效應(yīng)，即設(shè)備利用率的提高，將硅片直徑從200nm轉(zhuǎn)換到300mm可將每塊芯片的生產(chǎn)成本降低30%，追求更低的單位成本是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)，而新建產(chǎn)線是擴(kuò)大此規(guī)模效應(yīng)的最佳方法，這對(duì)于具有大尺寸單晶爐生產(chǎn)能力的企業(yè)是絕佳機(jī)遇。

 

晶圓制造環(huán)節(jié)之后是晶圓加工，晶圓加工指在晶圓上制作邏輯電路的過(guò)程，主要包括在硅片上進(jìn)行鍍膜、光刻、刻蝕和摻雜等四大類基本操作。需要PECVD、LPCVD、光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、擴(kuò)散爐等設(shè)備。

 

在整個(gè)加工過(guò)程中，所有硅上方的材料都是互連芯片上各個(gè)器件所需的分層結(jié)構(gòu)的組成部分，為了增加多層金屬和絕緣層，需要在硅片上進(jìn)行不同工藝步驟的循環(huán)。

IC封測(cè)是IC生產(chǎn)的后段環(huán)節(jié)，對(duì)晶圓進(jìn)行減薄、切割、貼片、引線鍵合、封裝、測(cè)試等過(guò)程，需要減薄機(jī)、引線鍵合機(jī)、切割機(jī)、清洗機(jī)等設(shè)備。

 

硅片測(cè)試中的高廢品率會(huì)使得客戶產(chǎn)品在使用過(guò)程中失效，導(dǎo)致其選購(gòu)其他芯片，削弱芯片制作者在短周期內(nèi)占領(lǐng)市場(chǎng)的能力，為避免這種情況，正確的測(cè)試程序是必須的。而封裝行業(yè)已從早期的高勞動(dòng)密集型行業(yè)，發(fā)展成為現(xiàn)在的高度自動(dòng)化與產(chǎn)品性能提升過(guò)程中的重要推力。

1.3.設(shè)備市場(chǎng)增速劇增，大陸晉升半導(dǎo)體設(shè)備第三大市場(chǎng)

 

根據(jù)日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額為566億美元，同比增長(zhǎng)37.3%。分區(qū)域來(lái)看，中國(guó)大陸設(shè)備銷售額82.3億美元，占14.5%的比例，韓國(guó)為全球最大市場(chǎng)，銷售額達(dá)到179.5億美元，占比高達(dá)32%，其次為臺(tái)灣20%，日本為11%，北美為10%。大陸銷售占比從2005年的4%上升為2017年的14.5%，并且超過(guò)了北美和日本成為第三大市場(chǎng)。

自“十二五”以來(lái)中國(guó)設(shè)備市場(chǎng)銷售額自2012年2017年保持著26.9%的復(fù)合增速，同期全球銷售額增速僅為8.9%，大陸銷售額占比也從2012年的6.8%上升到2017年的14.5%，國(guó)內(nèi)下游集成電路應(yīng)用市場(chǎng)的持續(xù)擴(kuò)張也有望帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備銷售持續(xù)增長(zhǎng)。

從整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈看，半導(dǎo)體設(shè)備與材料分別以數(shù)百億的行業(yè)規(guī)模支撐了下游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)數(shù)千億的需求市場(chǎng)，根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）的數(shù)據(jù)，2017年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額高達(dá)4,058億美元，2017年半導(dǎo)體設(shè)備與材料銷售額分別為556億和469億美元，也間接說(shuō)明制造環(huán)節(jié)為企業(yè)帶來(lái)的高附加值。

1.4.國(guó)際集中國(guó)內(nèi)分散，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備急需突破

 

從國(guó)際上看，雖然中國(guó)設(shè)備市場(chǎng)占比逐年增加，但目前主要生產(chǎn)企業(yè)主要集中于歐美、日本、韓國(guó)和臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)。其中具有代表性的包括美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）、荷蘭阿斯麥（ASML）、美國(guó)泛林半導(dǎo)體（Lam Research）、日本東京電子（Tokyo Electron）和美國(guó)科磊（KLA-Tencor）等起步較早的國(guó)際知名企業(yè)，它們憑借資金技術(shù)等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了全球設(shè)備市場(chǎng)的絕大多數(shù)份額。

細(xì)分領(lǐng)域中，龍頭集中的現(xiàn)象依然明顯。根據(jù)2017年SEMI公布的數(shù)據(jù)，在集成電路制程中，前段晶圓制造設(shè)備投入占比約占設(shè)備投資的80%，而后段封裝、測(cè)試設(shè)備投入占比分別為9%和6%。前段制程中由于需要多次進(jìn)行光刻、沉積、刻蝕等工藝處理，對(duì)設(shè)備的精度和穩(wěn)定性要求最高。

根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2016年半導(dǎo)體設(shè)備主要細(xì)分領(lǐng)域前三名廠商占有率都達(dá)到了70%以上，光刻機(jī)龍頭ASML和PVD龍頭應(yīng)用材料更是分別占據(jù)了細(xì)分市場(chǎng)75.3%和84.9%的市場(chǎng)份額。這就意味著集成電路生產(chǎn)設(shè)備，如光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、PVD、CVD等附加值最大的部分都被海外公司壟斷，國(guó)內(nèi)企業(yè)急需打破僵局。

相比之下，大陸半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)起步較晚，市場(chǎng)集中度也很低。2016年大陸前十企業(yè)總收入約為47.57億元，占國(guó)內(nèi)設(shè)備市場(chǎng)份額僅為11.71%，占全球市場(chǎng)不足2%，使得我國(guó)高端晶圓制造設(shè)備基本依賴進(jìn)口，國(guó)產(chǎn)化率較低，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備急需突破。

1.5.貿(mào)易逆差現(xiàn)象嚴(yán)重，國(guó)內(nèi)供需結(jié)構(gòu)急需改善

 

我國(guó)是全球半導(dǎo)體最大的市場(chǎng)，并且正以高于全球的平均速度發(fā)展。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織（WSTS）的統(tǒng)計(jì)，2017年我國(guó)半導(dǎo)體銷售額達(dá)到了1,315億美元，全球占比從2014年的27%增長(zhǎng)到2017年的32%，同期美國(guó)、日本和歐洲占比分別為21%、9%和9%。

 

盡管如此，我國(guó)進(jìn)口依賴的局面依然存在，但根據(jù)海關(guān)總署提供的數(shù)據(jù)，2017年我國(guó)集成電路進(jìn)口金額同比增長(zhǎng)12.7%，達(dá)到2,588億美元，是同年原油進(jìn)口金額1607.5億美元的1.6倍，貿(mào)易逆差達(dá)到了1,925億美元。足見(jiàn)我國(guó)集成電路供需發(fā)展的失衡性，在國(guó)內(nèi)需求快速增加的情況下，改善本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)谴髣?shì)所趨。

除了下游之外，我國(guó)市場(chǎng)環(huán)境屬于供需層層不匹配的狀態(tài)，雖然大陸設(shè)備銷售額占全球比例不斷提升，2016年達(dá)到64.6億美元，但其中國(guó)產(chǎn)設(shè)備銷售額僅僅達(dá)到了25億元人民幣，占比不到8%，一方面是不斷提高的市場(chǎng)需求占比，一方面是難以提升的國(guó)產(chǎn)化設(shè)備占比，設(shè)備銷售的乏力與國(guó)內(nèi)設(shè)備的大量需求并不匹配。

2.乘行業(yè)發(fā)展巨浪，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備強(qiáng)勢(shì)起航

 

2.1.半導(dǎo)體周期已至，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受益最大

 

2.1.1.半導(dǎo)體行業(yè)重回景氣周期，創(chuàng)下歷史新高

 

理論上看，全球半導(dǎo)體行業(yè)具有技術(shù)呈周期性發(fā)展、市場(chǎng)呈周期性波動(dòng)的特點(diǎn)。20世紀(jì)初，隨著互聯(lián)網(wǎng)泡沫的破裂，2001年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)下跌32%；隨后隨著新一輪PC換機(jī)潮的到來(lái)，半導(dǎo)體市場(chǎng)與2002-2004年進(jìn)入了高速增長(zhǎng)階段，2005年開(kāi)始回落，之后受到金融危機(jī)影響出現(xiàn)了負(fù)增長(zhǎng)；2010年隨著全球經(jīng)濟(jì)好轉(zhuǎn)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)值增長(zhǎng)了34.4%，2011-2012年受歐債危機(jī)、美國(guó)量化寬松貨幣政策、日本地震及終端電子產(chǎn)品需求下滑影響，半導(dǎo)體銷售增速分別降為0.4%和-0.7%；2013年始，PC、手機(jī)、液晶電視等消費(fèi)類電子產(chǎn)品需求不斷增加，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)恢復(fù)增長(zhǎng)，增速達(dá)4.8%，2015-2016年，銷售逐漸疲軟；2017年隨著新一代智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等下游的興起，全球半導(dǎo)體重回景氣周期。

從數(shù)據(jù)上看，根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2017年半導(dǎo)體銷售額高達(dá)4,122億美元，同比增長(zhǎng)21.6%，創(chuàng)下歷史新高。存儲(chǔ)器同比增長(zhǎng)61.5%，遠(yuǎn)高于其他半導(dǎo)體成分9.9%的增速，印證了“存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的溫度計(jì)和風(fēng)向標(biāo)”之說(shuō)。根據(jù)WSTS、SIA、SEMI等多家產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)和咨詢調(diào)研機(jī)構(gòu)做出的發(fā)展評(píng)估，2018年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)收入增速將達(dá)到7.5%左右，收入規(guī)模約為4,411-4,440億美元左右。

 

2.1.2.需求回暖帶動(dòng)上游設(shè)備持續(xù)向好

 

理論上看，半導(dǎo)體設(shè)備與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)步呈現(xiàn)同周期規(guī)律，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)離不開(kāi)半導(dǎo)體設(shè)備的不斷創(chuàng)新，隨著制程的進(jìn)一步提升，對(duì)于設(shè)備的要求也越來(lái)越高，這對(duì)于設(shè)備企業(yè)來(lái)說(shuō)是難得的機(jī)遇。同時(shí)，技術(shù)的進(jìn)步也帶動(dòng)設(shè)備單價(jià)與研究壁壘的提升，龍頭企業(yè)擁有一定護(hù)城河，在發(fā)展過(guò)程中將做到強(qiáng)者恒強(qiáng)。即便如此，隨著摩爾定律逐漸逼近極限，海外企業(yè)在高端制程的研發(fā)進(jìn)度將會(huì)放緩，這就為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商提供了彎道超車的時(shí)間條件。

從數(shù)據(jù)上看，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售、資本開(kāi)支均保持增長(zhǎng)。2017年半導(dǎo)體銷售額在超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期的同時(shí)，也使半導(dǎo)體設(shè)備的景氣度大幅上升。全球半導(dǎo)體設(shè)備在2017年達(dá)到了37.3%的快速增長(zhǎng)，北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商全年出貨額同比增長(zhǎng)38.9%，達(dá)到256億美元，比較歷史數(shù)據(jù)我們同樣發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體設(shè)備與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)同步周期規(guī)律，上下游具有聯(lián)動(dòng)效應(yīng)，下游需求的爆發(fā)會(huì)帶動(dòng)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展。

資本開(kāi)支方面，全球主要半導(dǎo)體廠商2017年資本開(kāi)支均保持上升態(tài)勢(shì)，有望達(dá)到723億美元，增長(zhǎng)6.4%，根據(jù)IC Insights預(yù)測(cè)，2018年、2019年資本開(kāi)支仍將持續(xù)上升，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5.3%和6.4%。在此環(huán)境下，半導(dǎo)體設(shè)備有望受益于下游需求上升而持續(xù)其上行周期。

 

2.1.3.第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移如火如荼，大陸成為核心地區(qū)

 

縱觀歷史，全球半導(dǎo)體經(jīng)歷過(guò)兩次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，第一次發(fā)生在上世紀(jì)80年代，是美國(guó)向日本以家電行業(yè)為主導(dǎo)的裝配產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移，使得日本穩(wěn)固了其家電行業(yè)的地位。第二次則發(fā)生在上世紀(jì)90年代，得益于日本經(jīng)濟(jì)泡沫破滅，使其巨大資本開(kāi)支難以維系，韓國(guó)和臺(tái)灣抓住機(jī)會(huì)，在強(qiáng)大資金的支持下，確立了在PC和手機(jī)端的全球芯片霸主的地位，臺(tái)灣更是看中了晶圓代工的市場(chǎng)，著力發(fā)展代工產(chǎn)業(yè)，由此完成了第二次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移——由日本向韓國(guó)、臺(tái)灣地區(qū)的轉(zhuǎn)移。

 

從過(guò)往產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移過(guò)程來(lái)看，半導(dǎo)體全球級(jí)霸主的產(chǎn)生往往伴隨著新應(yīng)用新市場(chǎng)的快速崛起和國(guó)家財(cái)政的大力支持。目前我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于新一代智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、5G等行業(yè)崛起的過(guò)程中，應(yīng)用市場(chǎng)需求龐大；同時(shí)政府以多項(xiàng)文件、專項(xiàng)計(jì)劃大力支持，又通過(guò)大基金進(jìn)行資本投入，使得我國(guó)兼具著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的兩大歷史條件，有望成為第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的最大受益者。

 

根據(jù)SEMI research的數(shù)據(jù)，受到全球集成電路需求的影響，直到2020年，全球預(yù)計(jì)將會(huì)有62座半導(dǎo)體晶圓廠投產(chǎn)，其中有26座位于中國(guó)，其中包括英特爾、三星、臺(tái)積電、格羅方德等全球大型半導(dǎo)體公司投資的晶圓廠，我國(guó)已經(jīng)成為半導(dǎo)體第三次產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的核心地區(qū)。

 

2.2.政策與大基金共抗海外技術(shù)壟斷

 

2.2.1.國(guó)外企業(yè)在半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)

 

如前文所述，中國(guó)作為全球半導(dǎo)體行業(yè)最大的市場(chǎng)，本土產(chǎn)業(yè)鏈卻存在嚴(yán)重缺陷，與以美日為主導(dǎo)的國(guó)際企業(yè)相比仍相形見(jiàn)絀。國(guó)內(nèi)設(shè)備廠商與國(guó)際龍頭無(wú)論是在銷售規(guī)模還是在技術(shù)積累上都存在較大差距。例如在2016年，以CVD、刻蝕機(jī)等設(shè)備為主要業(yè)務(wù)的美國(guó)應(yīng)用材料公司設(shè)備收入高達(dá)76億美元，而同期我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額僅為425億元，約合64億美元，不及全球龍頭一家公司的收入規(guī)模。

 

具體來(lái)看，目前世界集成電路設(shè)備制程正處于7nm的研發(fā)與14nm的批量生產(chǎn)階段，而中國(guó)還處在14nm的研發(fā)與65-28nm的生產(chǎn)階段，落后國(guó)際先進(jìn)水平一到兩個(gè)世代，隨著下游需求的不斷增加和應(yīng)用場(chǎng)景的日益豐富，高端產(chǎn)能擴(kuò)張的需求將會(huì)快速上升，我國(guó)迫切需要走進(jìn)先進(jìn)制程。

 

2.2.2.國(guó)內(nèi)破局，政策與大基金發(fā)力國(guó)產(chǎn)設(shè)備崛起

 

由于半導(dǎo)體行業(yè)具有資金密集、技術(shù)密集的特點(diǎn)，也就造就了其政策驅(qū)動(dòng)的特性。正如前文所提到的臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展之路一樣，我國(guó)近年來(lái)出臺(tái)了一系列產(chǎn)業(yè)政策與國(guó)家發(fā)展基金，以促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主發(fā)展。一方面說(shuō)明改革迫在眉睫，另一方面彰顯國(guó)家對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的決心。

早在2006年，國(guó)務(wù)院發(fā)布的《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》就確定了“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”重大專項(xiàng)的地位，后簡(jiǎn)稱“02專項(xiàng)”。自專項(xiàng)于2008年正式實(shí)施以來(lái)，我國(guó)在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備的從無(wú)到有，在55/40/28nm三代制程實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，20-14nm制程取得突破，工藝水平快速提升5代，扭轉(zhuǎn)了工藝全套引進(jìn)的被動(dòng)局面。

 

此外，國(guó)務(wù)院于2014年6月發(fā)布的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》提出要突破集成電路關(guān)鍵設(shè)備，研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)配套能力。2015年5月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《中國(guó)制造2025》，明確提出在2020年之前，90-32nm設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%，2025年之前，20-14nm設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%，并明確將集成電路放在發(fā)展新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的首位。2016年5月，國(guó)務(wù)院印發(fā)《國(guó)家創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略綱要》，提出要加大集成電路的技術(shù)攻關(guān)和推廣力度，為我國(guó)經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型升級(jí)和國(guó)家安全提供保障。2016年12月，國(guó)務(wù)院印發(fā)了《十三五國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》，部署了包括集成電路發(fā)展工程在內(nèi)的21項(xiàng)重大工程。在2018年政府工作報(bào)告中，政府首次將集成電路放在重點(diǎn)推進(jìn)產(chǎn)業(yè)的首位，彰顯對(duì)集成電路發(fā)展的決心，為市場(chǎng)打下了一劑強(qiáng)心針。

 

資金方面，2014年9月，在財(cái)政部和工信部共同推動(dòng)下，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡(jiǎn)稱“大基金”）正式成立，首期募集資金規(guī)模達(dá)1387億元。據(jù)國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司總裁丁文武先生介紹，截至2017年底，國(guó)家大基金共投資49家企業(yè)，累計(jì)有效決策投資67個(gè)項(xiàng)目（其中包括約24家上市公司），累計(jì)項(xiàng)目承諾投資額和實(shí)際出資分別達(dá)到1188億元和818億元，分別占一期募資總金額的86%和61%，大基金一期已基本投資完成。

《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的發(fā)布和國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金的成立，使得集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成國(guó)內(nèi)各行業(yè)中最為完備的政策支持體系，集成電路產(chǎn)業(yè)迎來(lái)了大發(fā)展時(shí)機(jī)。

 

大基金的投資范圍包括集成電路的整條產(chǎn)業(yè)鏈，其中制造、設(shè)計(jì)、封測(cè)、設(shè)備材料各環(huán)節(jié)投資占比分別為63%、20%、10%、7%，主要投向了中芯國(guó)際等集成電路制造環(huán)節(jié)廠商。制造環(huán)節(jié)位于產(chǎn)業(yè)鏈偏下游位置，在加大制造業(yè)投資、擴(kuò)大產(chǎn)能的同時(shí)可以加速帶動(dòng)上游產(chǎn)業(yè)擴(kuò)張，重塑全產(chǎn)業(yè)鏈架構(gòu)使得國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的虛擬IDM模式不斷完善。

近日，大基金二期募資也已經(jīng)啟動(dòng)，擬募資1500-2000億，有望在設(shè)備制造、芯片設(shè)計(jì)和材料領(lǐng)域加大投資，抓住國(guó)內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)張的時(shí)間窗口，進(jìn)一步串聯(lián)整條產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)，考慮到資金具有的放大效應(yīng)，其將會(huì)通過(guò)大基金、地方基金、社會(huì)資金以及相關(guān)的銀行貸款等債券融資，按照1:3的撬動(dòng)比例，撬動(dòng)社會(huì)資金4,500億至6,000億元。外加大基金一期及其撬動(dòng)的社會(huì)資金，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總募集規(guī)模有望達(dá)到一萬(wàn)億元。

 

2018年3月底，財(cái)務(wù)部等三部門(mén)下發(fā)《關(guān)于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關(guān)企業(yè)所得稅政策》，定向扶持集成電路制造產(chǎn)業(yè)，該政策將對(duì)2018年1月1日后投資新設(shè)集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目：①線寬小于130納米且經(jīng)營(yíng)期在10年以上的，第1-2年免征企業(yè)所得稅，第3-5年按25%法定稅率減半征收企業(yè)所得稅；②線寬小于65納米或投資額超過(guò)150億元，且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的，第1-5年免征企業(yè)所得稅，第6-10年按25%法定稅率減半征收企業(yè)所得稅。此政策一方面通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)制造業(yè)企業(yè)的直接減稅，使得盈利能力可獲得較大程度的提升；另一方面有望進(jìn)一步激發(fā)制造企業(yè)產(chǎn)線投資積極性，強(qiáng)化上游設(shè)備需求，擴(kuò)大設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模。

 

在政策與資金的共同推動(dòng)下，國(guó)產(chǎn)設(shè)備發(fā)展取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步：以02專項(xiàng)實(shí)施最早的硅刻蝕機(jī)為例，于2003年啟動(dòng)時(shí)，與國(guó)外相差20多年的差距；經(jīng)過(guò)這些年的發(fā)展和國(guó)家專項(xiàng)的大力支持，北方華創(chuàng)每一代的設(shè)備推出后，差距都在縮小。2016年14nm的刻蝕機(jī)進(jìn)入生產(chǎn)線時(shí)，技術(shù)差距基本縮小到2-3年。

2.3.國(guó)內(nèi)建廠潮帶來(lái)行業(yè)機(jī)遇

 

我們統(tǒng)計(jì)了23個(gè)國(guó)內(nèi)目前正在進(jìn)行或計(jì)劃進(jìn)行的12寸晶圓廠建廠計(jì)劃，其中內(nèi)資晶圓廠13個(gè)，外資晶圓廠10個(gè)，制程工藝水平高至14nm，低至150nm，應(yīng)用包括了存儲(chǔ)、驅(qū)動(dòng)、代工等領(lǐng)域，覆蓋面極其廣泛，新增月產(chǎn)能合計(jì)達(dá)到了156萬(wàn)片。

為測(cè)算上述擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃會(huì)具體帶來(lái)多少設(shè)備需求，我們做出如下假設(shè)：

 

①資金占比：總投資額中，85%為廠房與設(shè)備投資的非流動(dòng)資金，其余15%為輔底流動(dòng)資金；非流動(dòng)資金中75%為設(shè)備投資金額，其余25%為廠房建設(shè)投資金額。

 

②時(shí)間分配：開(kāi)工后一年內(nèi)進(jìn)行廠房建設(shè)，開(kāi)工后第二年開(kāi)始進(jìn)行設(shè)備投資，第二年至第四年設(shè)備投資比例分別為40%、40%和20%

 

根據(jù)以上假設(shè)，我們測(cè)算出2018至2020年國(guó)內(nèi)產(chǎn)線規(guī)劃所決定的設(shè)備需求為1,605、1712和1,056億元，前兩年因產(chǎn)線陸續(xù)進(jìn)入設(shè)備采購(gòu)階段，設(shè)備需求有所增加，第三年因?yàn)椴糠之a(chǎn)線投資已經(jīng)結(jié)束或接近尾聲，設(shè)備需求有所放緩。但我們認(rèn)為在整個(gè)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的大背景下，隨著未來(lái)更多產(chǎn)能擴(kuò)廠計(jì)劃的披露，設(shè)備需求將會(huì)持續(xù)增長(zhǎng)。

 

2.3.1.三大類設(shè)備占據(jù)超七成的晶圓設(shè)備需求

 

在設(shè)備投資中，80%的比例為晶圓制造設(shè)備，測(cè)試設(shè)備和封裝設(shè)備分別占9%和6%，剩余5%為凈化系統(tǒng)等其他設(shè)備。在晶圓設(shè)備中，光刻、成膜和刻蝕設(shè)備占比最高，可分別達(dá)到30%、20%和25%。

薄膜沉積：IC制造最基本工序

 

薄膜沉積是一系列涉及原子的吸附、吸附原子在表面的擴(kuò)散及在適當(dāng)?shù)奈恢孟戮劢Y(jié)，以漸漸形成薄膜并成長(zhǎng)的過(guò)程。通過(guò)薄膜沉積，可以給材料的表面覆蓋上一層薄膜已達(dá)到特定的特性。在晶圓制造過(guò)程中，為了實(shí)現(xiàn)芯片的設(shè)計(jì)效果需要在硅片上集成復(fù)雜的電路，這些結(jié)構(gòu)層大部分是采用薄膜沉積的方法實(shí)現(xiàn)的。特別是在硅片完成清洗步驟后，往往要經(jīng)歷沉積-刻蝕-沉積的反復(fù)過(guò)程，根據(jù)每層表面介質(zhì)的不同，可能采用不同的沉積方法，從而形成晶圓復(fù)雜的分層效果。

薄膜沉積的過(guò)程可分為物理氣相沉積PVD和化學(xué)氣象沉積CVD兩類。顧名思義，物理氣相沉積的過(guò)程中不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，只發(fā)生物質(zhì)的相變等物理變化，如蒸鍍過(guò)程是將固態(tài)蒸鍍?cè)崔D(zhuǎn)換為氣態(tài)，再在目標(biāo)表面形成固態(tài)膜的過(guò)程。而CVD則通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行，將反應(yīng)源以氣體形式通入反應(yīng)腔中，經(jīng)過(guò)與其他外部反應(yīng)物或與基板進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)形成目標(biāo)生成物沉積于基板上。

 

全球范圍來(lái)看，應(yīng)用材料（AMAT）在CVD和PVD設(shè)備領(lǐng)域都保持領(lǐng)先地位，自1992年以來(lái)，應(yīng)用材料就是全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在薄膜設(shè)備領(lǐng)域也保持著行業(yè)龍頭的地位，PVD市占率接近65%，CVD市占率接近30%。而相對(duì)于其他設(shè)備，成膜設(shè)備是國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程相對(duì)較快的設(shè)備類別，北方華創(chuàng)、沈陽(yáng)拓荊等公司正在不斷突破，北方華創(chuàng)的28nm Hardmask PVD設(shè)備，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)PVD設(shè)備零的突破和技術(shù)跨越，已被指定為28nm制程工藝的Baseline機(jī)臺(tái)，率先進(jìn)入國(guó)際供應(yīng)鏈體系。

光刻：集成電路制造最關(guān)鍵工序

 

光刻工藝是最復(fù)雜的工藝，光刻機(jī)是最貴的機(jī)臺(tái)。

 

光刻技術(shù)指利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理，將電路圖形傳遞到晶圓表面，形成有效圖形窗口的工藝技術(shù)，而光刻機(jī)是光刻工序中的曝光工具。主流微電子制造過(guò)程中，光刻是最復(fù)雜、最昂貴，同時(shí)也是最關(guān)鍵的工藝。光刻工藝決定著整個(gè)IC工藝的特征尺寸，代表著整個(gè)半導(dǎo)體制造工藝發(fā)展的水平。從成本角度講，光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)臺(tái)，價(jià)格可達(dá)到千萬(wàn)-億美元/臺(tái)。

 

而每一次工藝節(jié)點(diǎn)的進(jìn)度背后都是光刻設(shè)備的重大革新，光刻設(shè)備從光源（從最初的g-Line,H-Line發(fā)展到極紫外EUV）、曝光方式（從接觸式到步進(jìn)式，從干式投影到浸沒(méi)式投影）不斷進(jìn)行著改進(jìn)。

從成本角度講，光刻機(jī)是生產(chǎn)線上最貴的機(jī)器，價(jià)格可達(dá)到千萬(wàn)-億美元/臺(tái)。價(jià)值主要集中在由15～20個(gè)直徑為200～300mm的透鏡組成的成像系統(tǒng)和定位精度小于10nm的定位系統(tǒng)上。

 

荷蘭的ASML以其EUV光刻機(jī)占據(jù)著全球超過(guò)70%的高端光刻機(jī)市場(chǎng)，市場(chǎng)地位無(wú)可撼動(dòng)。其最新的光刻機(jī)產(chǎn)品售價(jià)高達(dá)1億美元，依舊處于供不應(yīng)求的情況。上海微電子是國(guó)內(nèi)光刻機(jī)廠商領(lǐng)先者，其已量產(chǎn)的光刻機(jī)中性能最好的是90nm光刻機(jī)。由于技術(shù)難度巨大，短期內(nèi)還是處于相對(duì)劣勢(shì)的地位。

 

刻蝕：最小線寬的決定性工藝

 

刻蝕（etching）是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕工藝對(duì)設(shè)備精度要求非常高，一臺(tái)刻蝕機(jī)的準(zhǔn)確度要達(dá)到99.99%才能滿足整個(gè)硅片的良率要求。因?yàn)槿绻涛g過(guò)程中出現(xiàn)失誤，將造成難以恢復(fù)的硅片報(bào)廢。美國(guó)應(yīng)用材料公司副總裁Shankar Venkataraman博士就曾表示，“生產(chǎn)先進(jìn)芯片的一個(gè)重要壁壘是在一個(gè)多層結(jié)構(gòu)芯片中有選擇性地清除某一特定材料，而不破壞其他材料”。因此，刻蝕機(jī)在晶圓生產(chǎn)線中的成本占比僅次于光刻機(jī)，其發(fā)展也在一定程度上決定著摩爾定律能否繼續(xù)向前發(fā)展。

 

在8英寸晶圓時(shí)代，刻蝕設(shè)備主要分為介質(zhì)、多晶及金屬刻蝕三大類，進(jìn)入12寸時(shí)代后，隨著銅互連的發(fā)展，介質(zhì)刻蝕份額逐漸加大，目前已超過(guò)了50%。隨著器件互連層數(shù)增多，介質(zhì)刻蝕設(shè)備使用量有望進(jìn)一步增大。在這樣的趨勢(shì)下，刻蝕機(jī)龍頭泛林集團(tuán)（Lam Research）利用其較低的設(shè)備成本和簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)，逐漸在65nm、45nm設(shè)備市場(chǎng)超過(guò)TEL等企業(yè)，占據(jù)了大半個(gè)市場(chǎng)，成為行業(yè)龍頭。

 

雖然國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額僅有6%，但國(guó)內(nèi)企業(yè)也正在高端制程上不斷發(fā)力。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)并在客戶的產(chǎn)線上順利運(yùn)行，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。北方華創(chuàng)8英寸高密度等離子硅刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國(guó)際產(chǎn)線，深硅刻蝕設(shè)備也挺近了東南亞市場(chǎng)。

2.3.2.建廠潮將為國(guó)產(chǎn)設(shè)備帶來(lái)超過(guò)250億的市場(chǎng)空間

 

基于國(guó)內(nèi)各類設(shè)備投資金額占比和國(guó)產(chǎn)化率趨勢(shì)，保守估計(jì)三大核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率以每年增加1個(gè)百分點(diǎn)的速度穩(wěn)步提升，其他非核心設(shè)備使用與薄膜設(shè)備同樣的國(guó)產(chǎn)化率。

結(jié)合我們之前做計(jì)算的建廠潮帶來(lái)的設(shè)備投資額，我們推算出2018至2020年國(guó)產(chǎn)設(shè)備需求至少可以達(dá)到84億、102億和72億元，三年合計(jì)可達(dá)到至少258億元的市場(chǎng)規(guī)模。隨著產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的不斷進(jìn)行和新建產(chǎn)線的持續(xù)披露，預(yù)計(jì)將會(huì)有更大的銷售規(guī)模。

2.4.政策資金支持人才培養(yǎng)，研發(fā)投入成為企業(yè)制勝關(guān)鍵

 

同樣，半導(dǎo)體的技術(shù)密集型特點(diǎn)也體現(xiàn)在人才的積累與研發(fā)投入上。《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)綱要》同樣提出，要加大人才培養(yǎng)和引進(jìn)力度，為集成電路人才引進(jìn)提供經(jīng)濟(jì)保障，加大集成電路領(lǐng)域優(yōu)秀人才的支持力度?！吨袊?guó)制造2025》也將“人才為本”作為了基本方針之一。

 

根據(jù)2017年5月工信部軟件與集成電路促進(jìn)中心（CSIP）發(fā)布的《中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(shū)（2016-2017）》，到2030年我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模將擴(kuò)大5倍以上，目前相關(guān)從業(yè)人員總數(shù)不足30萬(wàn)人，需要70萬(wàn)人才能填補(bǔ)人才總量的缺口。《白皮書(shū)》認(rèn)為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才供給與產(chǎn)業(yè)增速存在不匹配現(xiàn)象，僅依托高校不能滿足發(fā)展需求，要做到“產(chǎn)學(xué)研”融合培養(yǎng)。

 

2017年10月，國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際成功聘用原臺(tái)積電自身研發(fā)處處長(zhǎng)、三星研發(fā)部總經(jīng)理梁孟松作為公司聯(lián)席CEO。梁孟松在三星就任時(shí)期，曾幫助三星從28nm制程到14nm制程的飛躍，快速完成對(duì)老東家臺(tái)積電的趕超。足見(jiàn)具有豐富經(jīng)驗(yàn)的科研工作者在促進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展中起到的關(guān)鍵性作用，而引進(jìn)海外人才也成為我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)可行之路。

在設(shè)備市場(chǎng)上，美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭應(yīng)用材料在2017財(cái)年投入17.74億美元作為研發(fā)費(fèi)用。從2005至2017財(cái)年，研發(fā)費(fèi)用對(duì)收入占比也始終保持在14%左右，尤其是在營(yíng)收大幅下降38.3%的2009年金融危機(jī)時(shí)期，研發(fā)費(fèi)用占比反而有所提升，達(dá)到18.6%，公司一直把新產(chǎn)品研發(fā)作為公司重要的發(fā)展戰(zhàn)略。尤其在近年先進(jìn)世代線技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中，公司加大了研發(fā)投入，在2017年同比增長(zhǎng)了15%，達(dá)到金融危機(jī)以來(lái)最大增速。全球光刻機(jī)霸主ASML也同樣注重研發(fā)，近十年來(lái)研發(fā)費(fèi)用率始終保持在16%左右，并且為了配合先進(jìn)世代線的發(fā)展，同樣在近兩年開(kāi)始加大研發(fā)投入力度。

參考后文中國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備龍頭對(duì)研發(fā)的重視我們認(rèn)為，研發(fā)是驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)發(fā)展的核心。而對(duì)于技術(shù)并不足夠成熟的國(guó)內(nèi)企業(yè)，為了高速發(fā)展完成趕超必須大力投入研發(fā)，犧牲的利潤(rùn)換來(lái)的將會(huì)是未來(lái)更大的增長(zhǎng)。

 

3.國(guó)產(chǎn)設(shè)備短期受益于建廠潮，長(zhǎng)期受益于國(guó)產(chǎn)化率提升趨勢(shì)

 

3.1.新增產(chǎn)能精度增速開(kāi)始降低，中低端需求仍然存在

 

隨著摩爾定律逐漸逼近極限，海外企業(yè)在高端制程的研發(fā)進(jìn)度將會(huì)放緩，這就為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商提供了彎道超車的時(shí)間條件。

 

摩爾定律是由英特爾（Intel）創(chuàng)始人之一戈登·摩爾于1965年提出的“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18個(gè)月就翻一倍”，多年來(lái)一直被半導(dǎo)體界奉為金科玉律，但是近年來(lái)隨著制程進(jìn)入20nm以下，逐漸逼近現(xiàn)有工藝以及材料物理的極限，提高制程的難度和成本都開(kāi)始飛速抬升。而為了延續(xù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的性能提升以及成本下降，代工企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始通過(guò)根據(jù)產(chǎn)品需求合理搭配技術(shù)，并升級(jí)封裝工藝以完成“超越摩爾”的目標(biāo)。臺(tái)積電以16nm制程工藝搭配自主開(kāi)發(fā)的InFO WLP技術(shù)提供的更薄更小的封裝方案，擊敗三星的14nm制程工藝獨(dú)吞A10訂單，就是一個(gè)經(jīng)典案例。

目前國(guó)內(nèi)對(duì)先進(jìn)制程的掌握程度并未達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，代工龍頭中芯國(guó)際也還處在28nm成熟制程的爬坡與14nm制程的攻堅(jiān)階段，而國(guó)際代工龍頭臺(tái)積電已經(jīng)完成了10nm的量產(chǎn)爬坡，并已開(kāi)始7nm的量產(chǎn)，國(guó)內(nèi)在先進(jìn)制程的能力不足使得擴(kuò)產(chǎn)主要集中在中低端制程領(lǐng)域。

 

另一方面，雖然從理論上講高制程帶來(lái)了更低的開(kāi)關(guān)能耗和更快的運(yùn)行速率，但隨著研發(fā)難度和生產(chǎn)工序的增加，制程演進(jìn)的性價(jià)比提升趨于停滯，造成了“28nm長(zhǎng)制程”的現(xiàn)象。20nm和16/14nm制程的成本一度高于28nm，這是摩爾定律有效運(yùn)行60多年來(lái)首次遇到制程縮小但成本不降反升的問(wèn)題。

根據(jù)我們統(tǒng)計(jì)，在國(guó)內(nèi)已披露的23條新增晶圓廠中，除去尚未披露制程規(guī)模的廠商，具有28nm以上（不含28nm）制程生產(chǎn)計(jì)劃的晶圓產(chǎn)線只有6家，總計(jì)劃投資額約合2,846億元，僅占全部投資額的29%。

 

3.2.半導(dǎo)體行業(yè)正處于周期性向成長(zhǎng)性轉(zhuǎn)變的過(guò)程中

 

半導(dǎo)體作為電子產(chǎn)業(yè)鏈的上游行業(yè)，其周期性的供需兩端分別來(lái)自于下游各行業(yè)需求的波動(dòng)和上游集成電路供給的波動(dòng)。而此集成電路的供給又成為了半導(dǎo)體設(shè)備的需求端，而下游電子產(chǎn)業(yè)又受經(jīng)濟(jì)周期變動(dòng)影響巨大，從而傳導(dǎo)至最上游為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)周期性。

 

為確定半導(dǎo)體周期性傳導(dǎo)關(guān)系，我們使用數(shù)據(jù)記錄周期更長(zhǎng)的北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額月度同比作為上游設(shè)備景氣度指標(biāo)，下游半導(dǎo)體采用美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)的半導(dǎo)體銷售額數(shù)據(jù)。通過(guò)數(shù)據(jù)分析與比較，我們發(fā)現(xiàn)以下趨勢(shì)：

 

2012年之前，半導(dǎo)體銷售額與設(shè)備銷售額具有明顯的周期性與相關(guān)性，同時(shí)半導(dǎo)體銷售總是先于設(shè)備到達(dá)周期的波峰或波谷，并且設(shè)備波動(dòng)總是大于下游半導(dǎo)體銷售波動(dòng)。2012年以后，兩者震蕩幅度明顯減小，周期性有所減弱。

從需求來(lái)看，在過(guò)去，半導(dǎo)體行業(yè)下游應(yīng)用較為單一，需求變化與晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)的錯(cuò)配

 

現(xiàn)象為行業(yè)帶來(lái)周期性波動(dòng)。2012年起，智能手機(jī)迅速崛起，使得半導(dǎo)體市場(chǎng)由之前的單一市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)發(fā)展為智能手機(jī)+計(jì)算機(jī)的雙下游驅(qū)動(dòng)，市場(chǎng)的分散化有效緩解了需求端的波動(dòng)性。此外，2016年以來(lái)，智能手機(jī)從增量市場(chǎng)進(jìn)入存量市場(chǎng)，出貨量表現(xiàn)出疲軟態(tài)勢(shì)，2018年以來(lái)國(guó)內(nèi)智能手機(jī)出貨量更是出現(xiàn)了負(fù)增長(zhǎng)，而半導(dǎo)體銷售額卻以保持了20個(gè)月的連續(xù)增長(zhǎng)，2018年一季度同比增速更是超過(guò)了20%，這也側(cè)面反映出新興市場(chǎng)的發(fā)展對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)作用。

從供給端看，理論上講半導(dǎo)體銷售的變化對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)資本自出和設(shè)備需求具有推動(dòng)作用，但由于信息或訂單的傳導(dǎo)需要時(shí)間，導(dǎo)致半導(dǎo)體的拐點(diǎn)總是先于設(shè)備到來(lái)，例如在2001年9月，半導(dǎo)體銷售額同比降低44.6%，為當(dāng)期最低增速，而半導(dǎo)體設(shè)備到了11月才到達(dá)底部；到2009年2月，受金融危機(jī)影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大幅下跌，與當(dāng)年3-4月達(dá)到低點(diǎn)，而彼時(shí)設(shè)備行業(yè)還在下降過(guò)程中，并于4-5月觸及谷底；到了2010年，整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)開(kāi)始復(fù)蘇，市場(chǎng)需求帶動(dòng)上游需求大幅增加，于當(dāng)年2-3月達(dá)到增長(zhǎng)高峰后回落，而半導(dǎo)體設(shè)備銷售額在5-6月進(jìn)入頂部后開(kāi)始回落。

 

全球半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)不斷發(fā)展幾十年，半導(dǎo)體銷售規(guī)模從2001年的1,768億美元增長(zhǎng)至2017年的4,122億美元，以5.4%的復(fù)合增長(zhǎng)率持續(xù)增長(zhǎng)著，但同時(shí)，龍頭企業(yè)始終保持著高于行業(yè)平均增速的增長(zhǎng)速度，以晶圓代工行業(yè)龍頭臺(tái)積電為例，公司自2001年開(kāi)始以13.7%的速度持續(xù)增長(zhǎng)，市占率已經(jīng)在2017年達(dá)到了55.9%，此時(shí)第二名的格羅方德僅有9.4%，由于代工行業(yè)具有資金密集、技術(shù)密集的特點(diǎn)，使得行業(yè)壁壘高于大部分其他半導(dǎo)體環(huán)節(jié)，也促使擁有技術(shù)和資金自給自足的特點(diǎn)加速市場(chǎng)份額的提升。

 

半導(dǎo)體作為一個(gè)歷史悠久的周期性行業(yè)，在每一次供給端收緊的過(guò)程中都為行業(yè)整合帶來(lái)推動(dòng)力。以存儲(chǔ)器龍頭三星為例，2008年金融危機(jī)時(shí)，DRAM價(jià)格暴跌就成，三星卻利用上一年利潤(rùn)的118%進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充，并發(fā)起價(jià)格戰(zhàn)致使德國(guó)廠商奇夢(mèng)達(dá)和日本廠商爾必達(dá)分別在2009和2012年破產(chǎn)，爾必達(dá)后被美光低價(jià)收購(gòu)；2011-2012年，DRAM市場(chǎng)熱度再次退去，三星卻又一次加大投資，兩年內(nèi)資本支出均不低于170億美元，在2013年行業(yè)復(fù)蘇前占得先機(jī)，并進(jìn)一步擠出競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，使得臺(tái)灣茂德于2012年破產(chǎn)，華亞科于2015年被美光收購(gòu)為全資子公司，自此業(yè)內(nèi)僅剩三星、SK海力士、美光三大玩家，其中三星和SK海力士占據(jù)75%的市場(chǎng)份額。

參考從1999年到2017年的半導(dǎo)體銷售額年度變化的波動(dòng)趨勢(shì)我們?cè)俅伟l(fā)現(xiàn)，整個(gè)半導(dǎo)體銷售額的波動(dòng)逐年減小是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程，波動(dòng)幅度從2000年前后的50%，下降到2009年前后的41%，到2016年前后縮減到了20%。周期性有明顯的弱化。2018年以來(lái)，已創(chuàng)紀(jì)錄地連續(xù)三個(gè)月保持著20%以上的同比增長(zhǎng)，成長(zhǎng)性開(kāi)始強(qiáng)化。

 

成長(zhǎng)性的提升帶來(lái)行業(yè)持續(xù)的增長(zhǎng)，而作為上游的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)也開(kāi)始了它的持續(xù)增長(zhǎng)之路，北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商銷售額自2016年10月份以來(lái)，已連續(xù)增長(zhǎng)了18個(gè)月。根據(jù)SEMI預(yù)估，2018年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額增速將達(dá)到9%，而隨著2017年中國(guó)晶圓廠開(kāi)始大規(guī)模興建，中國(guó)將成為主要增長(zhǎng)引擎，SEMI預(yù)測(cè)2018年年中國(guó)設(shè)備銷售額成長(zhǎng)幅度最大，將同比增長(zhǎng)49.3%，達(dá)到113億美元，成為僅次于韓國(guó)的第二大市場(chǎng)。大陸在設(shè)備行業(yè)景氣度持續(xù)提升和國(guó)內(nèi)需求爆發(fā)的雙重作用下所孕育的絕佳土壤，為設(shè)備企業(yè)帶來(lái)了生長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

 

3.3.短期受益于擴(kuò)產(chǎn)需求，長(zhǎng)期受益于國(guó)產(chǎn)化率提升

 

肥沃的土壤必然會(huì)為企業(yè)帶來(lái)做大做強(qiáng)的可能性，同時(shí)通過(guò)研發(fā)形成的技術(shù)優(yōu)勢(shì)也是企業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。

 

目前以北方華創(chuàng)、中微半導(dǎo)體、盛美半導(dǎo)體等為代表的主要半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)內(nèi)廠商已經(jīng)在多類產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了批量生產(chǎn)和測(cè)試。我國(guó)總體工藝水平28nm的國(guó)產(chǎn)設(shè)備覆蓋率已經(jīng)達(dá)到了17%-18%，刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)、PVD、CMP等16種關(guān)鍵設(shè)備以經(jīng)過(guò)大產(chǎn)線考核，光刻機(jī)突破90納米曝光分辨率，另外有9項(xiàng)應(yīng)用于14nm的國(guó)產(chǎn)設(shè)備開(kāi)始進(jìn)入驗(yàn)證階段。

與此同時(shí)，國(guó)產(chǎn)設(shè)備的客戶接受度也在不斷增強(qiáng)，在2017年統(tǒng)計(jì)的主流65-28nm客戶不定量的采購(gòu)的12類設(shè)備清單中可以看到，總采購(gòu)量已經(jīng)超過(guò)了200臺(tái)，今年將會(huì)進(jìn)一步提升。

我們認(rèn)為，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)在2018至2020年的成長(zhǎng)主要來(lái)自于國(guó)內(nèi)產(chǎn)能擴(kuò)張所帶來(lái)設(shè)備需求的被動(dòng)拉動(dòng)，根據(jù)我們先前的統(tǒng)計(jì)、測(cè)算與假設(shè)，2018年至2020年在建的28nm及以下制程的產(chǎn)線共有17條，總設(shè)備投資額分別為1,257億元、1,182億元和563億元，根據(jù)28nm設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率17%-18%，假設(shè)這部分設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率水平達(dá)到20%，那么將會(huì)分別帶來(lái)251億元、236億元和113億元的國(guó)產(chǎn)設(shè)備市場(chǎng)空間。

 

而隨著國(guó)家政策與資金的持續(xù)支持，以及不斷加強(qiáng)的研發(fā)投入，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)將有望在高端制程中取得不斷突破，例如北方華創(chuàng)已將10nm、7nm前沿關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)定為公司重點(diǎn)工作之一。設(shè)備企業(yè)在追趕的過(guò)程中將持續(xù)推進(jìn)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率的提升，以完成中國(guó)制造2025所定下的目標(biāo)：在2020年之前，90-32納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到50%，2025年之前，20-14納米工藝設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率達(dá)到30%。這將為整體行業(yè)帶來(lái)第二波成長(zhǎng)機(jī)會(huì)。

 

4.綜合型VS專業(yè)型，探索不同戰(zhàn)略選擇的共通之處

 

半導(dǎo)體設(shè)備公司可分為覆蓋多種設(shè)備的綜合型公司以及專注某些細(xì)分領(lǐng)域的專業(yè)型公司，兩者在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、并購(gòu)風(fēng)格上有所不同，但對(duì)研發(fā)投入和自主創(chuàng)新的態(tài)度高度一致。下面分別以AMAT和北方華創(chuàng)作為綜合型設(shè)備商代表，以ASML和中微半導(dǎo)體作為專業(yè)型設(shè)備商代表，分析其發(fā)展路徑。

 

4.1.綜合型公司發(fā)展路徑——AMAT和北方華創(chuàng)

 

4.1.1 AMAT：多樣化并購(gòu)、市場(chǎng)擴(kuò)張與內(nèi)部創(chuàng)新相結(jié)合

 

AMAT（應(yīng)用材料）公司是半導(dǎo)體設(shè)備全球龍頭，規(guī)模最大，設(shè)備種類最多，是綜合型公司的最典型代表。

 

公司產(chǎn)品種類繁多，生產(chǎn)的半導(dǎo)體設(shè)備覆蓋原子層沉積、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、電氣化學(xué)沉積、外延工藝、刻蝕、離子注入、測(cè)量與檢測(cè)、快速熱處理等，幾乎包攬光刻機(jī)以外的半導(dǎo)體制造各環(huán)節(jié)所需設(shè)備，是三星電子、臺(tái)積電、美光、英特爾等巨頭的設(shè)備供應(yīng)商。

回顧AMAT的發(fā)展歷程，首先，公司產(chǎn)品線的拓展離不開(kāi)積極的多樣化的并購(gòu)活動(dòng)。作為半導(dǎo)體設(shè)備綜合平臺(tái)，要保證廣泛的產(chǎn)品覆蓋度，公司不得不面臨技術(shù)研發(fā)投入大、研發(fā)周期長(zhǎng)、失敗風(fēng)險(xiǎn)高、技術(shù)更新迭代迅速的問(wèn)題，而多樣化的外延并購(gòu)可以加快公司技術(shù)更新速度，適應(yīng)市場(chǎng)需求，并降低內(nèi)部研發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)。

自上世紀(jì)90年代中后期起，AMAT進(jìn)行了一些列并購(gòu)。1997年，AMAT收購(gòu)以色列公司Opal Technologies和Orbot Instruments，以切入集成電路監(jiān)測(cè)與控制設(shè)備領(lǐng)域；次年，收購(gòu)Consilium公司，以通過(guò)其MES系統(tǒng)提高生產(chǎn)效率；2000年，收購(gòu)Etec Syetems公司，切入光罩和薄膜晶體管陣列測(cè)試領(lǐng)域；緊接著在2001年收購(gòu)Oramir半導(dǎo)體設(shè)備公司，以獲得該公司的半導(dǎo)體晶片激光清洗技術(shù)，對(duì)公司現(xiàn)有的晶片檢測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)充；2006年，通過(guò)收購(gòu)薄膜沉積設(shè)備供應(yīng)商Applied Films公司，成功進(jìn)入太陽(yáng)能電池和相關(guān)設(shè)備市場(chǎng)，產(chǎn)品線得到大舉擴(kuò)充；2008年，收購(gòu)意大利Baccini公司，以開(kāi)拓意大利市場(chǎng)，并擴(kuò)大自身在太陽(yáng)能面板制造設(shè)備市場(chǎng)的影響力；次年，公司在西安建太陽(yáng)能研發(fā)中心并收購(gòu)Semitool公司，以提高公司在晶圓級(jí)封裝和存儲(chǔ)器銅互連工藝這兩大快速增長(zhǎng)市場(chǎng)上的地位；2011年，收購(gòu)芯片設(shè)備制造商Varian，以提高公司在離子注入系統(tǒng)和晶體管生產(chǎn)方面的技術(shù)。這些并購(gòu)活動(dòng)壯大了公司的規(guī)模和主營(yíng)業(yè)務(wù)，并在公司增速放緩、市場(chǎng)份額已難以提高之時(shí)為其提供了新的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力，使公司一直得以在多個(gè)領(lǐng)域維持有競(jìng)爭(zhēng)力的市占率。

其次，公司順應(yīng)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)，積極進(jìn)行全球布局，擴(kuò)大市場(chǎng)。上世紀(jì)70年代，美國(guó)對(duì)日本進(jìn)行以家電行業(yè)為主導(dǎo)的裝配產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，這是歷史上第一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移?；诖耍?979和1984年，AMAT的日本子公司和技術(shù)研發(fā)中心相繼設(shè)立。1979至1983年期間，公司在日本地區(qū)銷售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)93%，1983年日本銷售額占公司總銷售額比例達(dá)到30%。上世紀(jì)90年代，日本經(jīng)濟(jì)泡沫破裂，出現(xiàn)了從日本到韓國(guó)和臺(tái)灣的第二次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移，韓國(guó)和臺(tái)灣借此機(jī)會(huì)確立了在PC和手機(jī)端的芯片霸主地位，AMAT于1985和1989年分別設(shè)立韓國(guó)辦事處和臺(tái)灣辦事處。此外，公司于1984年開(kāi)始進(jìn)入中國(guó)市場(chǎng)，成為第一個(gè)在中國(guó)內(nèi)地設(shè)立客服中心的半導(dǎo)體設(shè)備商，于1991年建立新加披辦事處，在歐洲的蘇格蘭、德國(guó)也設(shè)立了營(yíng)業(yè)部。廣闊的全球市場(chǎng)使公司營(yíng)業(yè)額不斷實(shí)現(xiàn)突破。

 

最后，AMAT始終注重內(nèi)部技術(shù)研發(fā)，每年在研發(fā)上投入不低于營(yíng)收的11%，團(tuán)隊(duì)成員中30%為專業(yè)研發(fā)人員，有業(yè)界最強(qiáng)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)儲(chǔ)備，擁有12000項(xiàng)專利，平均每天申請(qǐng)4個(gè)以上專利，旗下的梅丹（Maydan）技術(shù)中心耗資數(shù)十億美元，致力于先進(jìn)芯片制造，是全球最先進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)實(shí)驗(yàn)室之一。高強(qiáng)度的研發(fā)使公司核心設(shè)備技術(shù)始終領(lǐng)先全球。

4.1.2北方華創(chuàng)：資源重組、內(nèi)生研發(fā)與外延并購(gòu)的結(jié)合

 

北方華創(chuàng)是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，由七星華創(chuàng)和北方微電子重組而成，實(shí)現(xiàn)資源優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，在整個(gè)泛半導(dǎo)體領(lǐng)域涵蓋了集成電路、先進(jìn)封裝、LED、MEMS、電力電子、平板顯示、光伏電池等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域，擁有著比較完整的泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品線，并在諸多設(shè)備上都取得了一定的成就。

公司注重內(nèi)修，2016年研發(fā)費(fèi)用為7.6億元，占營(yíng)業(yè)收入47%。雖然絕對(duì)值遠(yuǎn)不及國(guó)際巨頭，但研發(fā)費(fèi)用率更高，表現(xiàn)出強(qiáng)烈的趕超意愿，而這離不開(kāi)政府資金的支持，2017年5月，公司收到用于國(guó)家科技重大專項(xiàng)“14nm立體柵等離子體刻蝕機(jī)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的國(guó)家科技重大專項(xiàng)項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)9,423萬(wàn)元，用于“28-14nm原子層沉積系統(tǒng)（ALD）產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)4,811萬(wàn)元以及“14-7nm CuBS多工藝腔室集成裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目經(jīng)費(fèi)資金4,746萬(wàn)元。人才方面，公司擁有中組部“千人計(jì)劃”專家10名，北京市“海聚工程”專家11名及數(shù)十名海外專家組成的研究隊(duì)伍，更擁有北京市領(lǐng)軍人才團(tuán)隊(duì)、首席技師工作室、國(guó)資委優(yōu)秀科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等各類管理與技術(shù)優(yōu)秀人才團(tuán)隊(duì)。公司2016年技術(shù)人員占比接近三分之一。
此外，通過(guò)外延擴(kuò)張，合理并購(gòu)，公司得以強(qiáng)化產(chǎn)品性能，拓展產(chǎn)品線。2017年8月，公司全資子公司“北方華創(chuàng)微電子”擬在美國(guó)設(shè)立子公司，并以1,500萬(wàn)美元收購(gòu)美國(guó)Akrion Systems LLC公司，雙方于2018年1月完成交割。Akrion專注于半導(dǎo)體硅晶圓清洗設(shè)備，產(chǎn)品下游應(yīng)用領(lǐng)域與公司基本重合，收購(gòu)?fù)瓿珊螅驹谇逑礄C(jī)領(lǐng)域已擁有單片與批式清洗兩大產(chǎn)品線，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)更加完善，公司技術(shù)與客戶積累也得到強(qiáng)化。

 

4.2.專業(yè)型公司發(fā)展路徑——ASML和中微半導(dǎo)體為例

 

4.2.1 ASML：持續(xù)研發(fā)投入的同時(shí)專注于專業(yè)化并購(gòu)

 

ASML是全球最大的光刻機(jī)設(shè)備提供商，在該領(lǐng)域具有壟斷地位，16年市占率達(dá)80%，是專業(yè)型公司的最典型代表。

 

公司專注于光刻設(shè)備生產(chǎn)，主要提供DUV光刻機(jī)、EUV光刻機(jī)和綜合性光刻解決方案，主要客戶包括三星、臺(tái)積電、英特爾。

ASML在業(yè)內(nèi)的不可替代性主要來(lái)源于對(duì)光刻技術(shù)的高強(qiáng)度研發(fā)投入和專業(yè)并購(gòu)。

 

研發(fā)上，一方面是公司內(nèi)部持續(xù)不斷的高投入。公司每年研發(fā)費(fèi)用不低于總營(yíng)收的10%，目前19000名員工中研發(fā)人員超過(guò)7000人，占比接近40%。2017年7月，公司成功發(fā)布用于7 nm/5nm節(jié)點(diǎn)的整體光刻產(chǎn)品套件。該產(chǎn)品套件由TWINSCAN NXE：3400B EUV光刻系統(tǒng)，TWINSCAN NXT：2000i浸入式系統(tǒng)和HMI eP5電子束計(jì)量系統(tǒng)組成，使芯片制造商能夠在7 nm/5nm邏輯和16nm DRAM節(jié)點(diǎn)上開(kāi)發(fā)，優(yōu)化和控制生產(chǎn)工藝。

另一方面，ASML推行技術(shù)合作開(kāi)發(fā)戰(zhàn)略，專注核心客戶的技術(shù)需求，利用客戶入股注資和科研經(jīng)費(fèi)提供加快研發(fā)進(jìn)程。2012年，為加快450mm晶圓技術(shù)和下一代EUV光刻技術(shù)的研發(fā)，ASML與英特爾簽訂協(xié)議，英特爾對(duì)ASML進(jìn)行32億美元股權(quán)投資，并在5年內(nèi)提供8.29億美元的研發(fā)經(jīng)費(fèi)，并承諾從ASML提前訂購(gòu)特定數(shù)量的訂單。同年，臺(tái)積電和三星也分別入股ASML，當(dāng)年8月臺(tái)積電加入ASML的客戶共同投資計(jì)劃，出資8.38億歐元購(gòu)買ASML的5%股權(quán)，并提供2.77億歐元分5年投入到ASML的研發(fā)項(xiàng)目中，三星則出資7260億韓元購(gòu)買ASML的3%股權(quán)。

除此之外，ASML還借助一系列專業(yè)性的并購(gòu)，為業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)和光刻技術(shù)進(jìn)步提供動(dòng)力。1999年，為增加聚焦深度，改善機(jī)器成像能力，擴(kuò)大光刻窗口，ASML收購(gòu)MaskTools；2001年，收購(gòu)Silicon Valley Group并將之作為主要的研發(fā)和制造中心，同年公司推出采用雙工作臺(tái)的TWINSCAN系統(tǒng)；2007年，收購(gòu)了領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造優(yōu)化解決方案提供商BRION，這是公司“綜合光刻”戰(zhàn)略的開(kāi)端，擴(kuò)充了ASML在光刻系統(tǒng)方面的技術(shù)；2013年，收購(gòu)光刻光源制造商Cymer，以加速EUV的發(fā)展；2016年進(jìn)行了兩筆重要的收購(gòu)，一是與其曲面反射鏡提供商卡爾蔡司進(jìn)行戰(zhàn)略合作，收購(gòu)其子公司Carl Zeiss SMT的24.9%股權(quán)，合作開(kāi)發(fā)High-NA EUV，二是收購(gòu)領(lǐng)先的e-beam測(cè)量工具提供商Hermes Microvision，擴(kuò)展綜合光刻產(chǎn)品組合，用于檢測(cè)機(jī)器精度，增加機(jī)器的正常運(yùn)作時(shí)間和產(chǎn)量。

4.2.2中微半導(dǎo)體：深耕等離子刻蝕和化學(xué)薄膜沉積領(lǐng)域

 

中微半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的高端芯片設(shè)備企業(yè)，也是大基金一期首個(gè)投資企業(yè)，公司專注于刻蝕和化學(xué)薄膜沉積類型設(shè)備的生產(chǎn)，在芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備三大細(xì)分領(lǐng)域均成為世界三強(qiáng)。成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)鏈。

 

其中，芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備已在臺(tái)積電7nm、10nm量產(chǎn)線工作，并與其聯(lián)合進(jìn)行5nm認(rèn)證，同時(shí)占據(jù)中芯國(guó)際50%以上新增采購(gòu)額；硅通孔刻蝕設(shè)備在我國(guó)TSV/CIS/MEMS刻蝕機(jī)市場(chǎng)市占率超過(guò)50%，MEMS刻蝕機(jī)進(jìn)入德國(guó)博世和意法半導(dǎo)體；MOCVD設(shè)備方面，公司的第二代Primo A7 MOCVD設(shè)備在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)已全面取代德國(guó)Aixtron和美國(guó)Veeco，獲得80%市場(chǎng)份額。

中微芯片介質(zhì)設(shè)備已經(jīng)在10nm和7nm的研發(fā)線核準(zhǔn)數(shù)道BARK刻蝕應(yīng)用，成為標(biāo)配設(shè)備，并開(kāi)始5nm器件刻蝕開(kāi)發(fā)，目前共進(jìn)入25條芯片生產(chǎn)線，生產(chǎn)4300多萬(wàn)片晶圓，其中包括臺(tái)積電7nm、10nm量產(chǎn)線。公司該設(shè)備在臺(tái)積電擁有232個(gè)反應(yīng)臺(tái)，累計(jì)生產(chǎn)晶圓超過(guò)2400萬(wàn)片。此外，中微的電容型介質(zhì)刻蝕設(shè)備已進(jìn)入全球市場(chǎng)前三，僅次于東京電子和泛林。

 

硅通孔刻蝕設(shè)備方面，8英寸和12英寸設(shè)備國(guó)內(nèi)市占率超過(guò)50%。中微在3年內(nèi)運(yùn)出100個(gè)反應(yīng)臺(tái)，在MEMS和CIS加工超過(guò)340萬(wàn)片晶圓。中微自主設(shè)計(jì)的MEMS刻蝕機(jī)達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)水平，與歐美同類型設(shè)備相比具有良率高、輸出量大、成本低的優(yōu)勢(shì)，已成功進(jìn)入德國(guó)博世和意法半導(dǎo)體。中微的TSV硅通孔刻蝕機(jī)是業(yè)界唯一的雙臺(tái)機(jī)，無(wú)論技術(shù)性能、產(chǎn)率和成本都優(yōu)于美國(guó)科林和英國(guó)SPTS，市場(chǎng)份額呈現(xiàn)進(jìn)一步上升趨勢(shì)。

 

中微的MOCVD設(shè)備在國(guó)內(nèi)藍(lán)光LED市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)逆襲，其第二代Primo A7 MOCVD設(shè)備，已在國(guó)內(nèi)全面取代德國(guó)Aixtron和美國(guó)Veeco的設(shè)備，從2016年底至2018年1月累計(jì)獲得近400臺(tái)訂單，市占率達(dá)到80%。

 

公司和團(tuán)隊(duì)30年來(lái)一直致力于推動(dòng)刻蝕技術(shù)和設(shè)備發(fā)展，對(duì)包括400KHz雙電極反向耦合介質(zhì)刻蝕技術(shù)、TSV ICP小體積反應(yīng)器及高速氣體切換技術(shù)、雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器集成系統(tǒng)等19項(xiàng)關(guān)鍵的等離子刻蝕體技術(shù)進(jìn)行了創(chuàng)新和突破。

研發(fā)方面，公司擁有尹志堯等100多位來(lái)自美國(guó)硅谷、日本、韓國(guó)、東南亞及臺(tái)灣地區(qū)的行業(yè)專家，曾領(lǐng)導(dǎo)或參與20多個(gè)國(guó)際先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的開(kāi)發(fā)及市場(chǎng)化。研發(fā)人員占公司員工總數(shù)近三分之一。公司30年來(lái)一直致力于推動(dòng)刻蝕技術(shù)和設(shè)備的發(fā)展，在32項(xiàng)關(guān)鍵的等離子體刻蝕技術(shù)和設(shè)備創(chuàng)新突破中，由中微成員或中微首創(chuàng)的有19項(xiàng)，占比60%。

 

通過(guò)上述分析比較，我們得到了以下結(jié)論：

 

產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上，綜合型設(shè)備企業(yè)產(chǎn)品線豐富，產(chǎn)品覆蓋設(shè)備行業(yè)多數(shù)領(lǐng)域，憑借產(chǎn)品廣度形成市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力；專業(yè)型設(shè)備企業(yè)深耕某一個(gè)或幾個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，在該領(lǐng)域形成壟斷優(yōu)勢(shì)。并購(gòu)風(fēng)格上，綜合型設(shè)備企業(yè)從事的并購(gòu)以多樣化并購(gòu)為主，并購(gòu)的標(biāo)的往往覆蓋不同領(lǐng)域；專業(yè)型設(shè)備企業(yè)的并購(gòu)活動(dòng)以專業(yè)并購(gòu)為主，并購(gòu)標(biāo)的多與公司所專注領(lǐng)域有關(guān)且在某一細(xì)分技術(shù)上具有比較優(yōu)勢(shì)。但是這些企業(yè)都有一個(gè)高度相同的地方——注重研發(fā)投入和自主創(chuàng)新，無(wú)論是ASML與三星、英特爾、臺(tái)積電等核心客戶的聯(lián)合研發(fā)，還是北方華創(chuàng)承接02專項(xiàng)借助政府補(bǔ)貼實(shí)現(xiàn)的高比重研發(fā)經(jīng)費(fèi)投入，持續(xù)的、高強(qiáng)度的研發(fā)投入和核心技術(shù)的自主掌握始終是企業(yè)的安身立命之本。

 

5.推薦標(biāo)的

 

5.1.北方華創(chuàng)：半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型龍頭

 

北方華創(chuàng)由原七星華創(chuàng)和北方微電子戰(zhàn)略整合而成。重組完成后，公司擁有半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電設(shè)備及精密元器件四個(gè)事業(yè)群，是國(guó)內(nèi)集成電路高端工藝裝備的龍頭。其中半導(dǎo)體裝備為公司最主要業(yè)務(wù)，設(shè)備種類齊全，覆蓋晶圓制造過(guò)程中的薄膜生長(zhǎng)和刻蝕環(huán)節(jié)以及輔助設(shè)備，囊括了七星電子的清洗機(jī)與氧化爐、北方微電子的刻蝕設(shè)備、物理氣相沉積設(shè)備和化學(xué)氣相沉積設(shè)備三大類設(shè)備，以及單片退火設(shè)備和退火爐。

公司營(yíng)業(yè)收入開(kāi)始加速增長(zhǎng)，歸母凈利潤(rùn)觸底反彈，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)發(fā)力。公司重組后業(yè)績(jī)明顯提振，2017年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入22.2億元，同比增長(zhǎng)37%，增速創(chuàng)近6年新高；歸母凈利潤(rùn)自2014年觸底后反彈強(qiáng)勁，2017年達(dá)到1.26億元，同比增長(zhǎng)40%。從分產(chǎn)品收入看，公司2017年半導(dǎo)體設(shè)備收入為1.13億元，同比增長(zhǎng)39.47%，占總營(yíng)收比例進(jìn)一步提高到51%，是公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)的重要驅(qū)動(dòng)力之一。

公司注重內(nèi)部研發(fā)和外延并購(gòu)結(jié)合，自重組后研發(fā)費(fèi)用絕對(duì)值和占營(yíng)收比例大幅提升，并積極承接國(guó)家02專項(xiàng)，實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，先后完成了12吋集成電路制造設(shè)備90-28nm等多個(gè)關(guān)鍵制程的攻關(guān)工作。公司的14nm制程等離子刻蝕機(jī)、Hardmask PVD、Al-Pad PVD、ALD、單片退火系統(tǒng)、LPCVD等設(shè)備已成功進(jìn)入集成電路主流代工廠；應(yīng)用于28nm的Hardmask PVD系統(tǒng)工藝設(shè)備、應(yīng)用于28/40nm的單片退火設(shè)備、應(yīng)用于55nm的硅刻蝕機(jī)，均被國(guó)內(nèi)領(lǐng)軍集成電路芯片制造企業(yè)指定為Baseline機(jī)臺(tái)，28nmPVD和8英寸高密度等離子硅刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國(guó)際生產(chǎn)線；公司的12英寸65/55nm清洗機(jī)已成功達(dá)到了100萬(wàn)片的單機(jī)累計(jì)流片量；公司的深硅刻蝕設(shè)備成功挺進(jìn)東南亞市場(chǎng)。

 

人才方面，公司擁有海外專家50余人，其中“千人計(jì)劃”專家10名，北京市“海聚工程”專家12名，并擁有北京市領(lǐng)軍人才團(tuán)隊(duì)、首席技師工作室、國(guó)資委優(yōu)秀科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)等各類管理與技術(shù)優(yōu)秀人才團(tuán)隊(duì)，司主要研發(fā)人員平均年齡31歲，具備充沛的精力和豐富的創(chuàng)造力。

此外，2017年8月，公司全資子公司北方華創(chuàng)微電子收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體硅晶圓清洗設(shè)備商Akrion Systems LLC公司，清洗機(jī)是公司半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品之一，公司12英寸65/55nm清洗機(jī)單機(jī)累計(jì)流片量已突破100萬(wàn)片大關(guān)，本次收購(gòu)后公司的清洗機(jī)業(yè)務(wù)部將擁有單片與批式清洗兩大產(chǎn)品線，進(jìn)一步擴(kuò)大清洗機(jī)市場(chǎng)。

 

5.2.至純科技：高純工藝系統(tǒng)龍頭

 

公司主要為電子、生物制藥等行業(yè)的先進(jìn)制造企業(yè)提供高純工藝系統(tǒng)的整體解決方案，業(yè)務(wù)包括高純工藝系統(tǒng)與高純工藝設(shè)備的設(shè)計(jì)、加工制造、安裝以及配套工程、檢測(cè)、廠務(wù)托管、標(biāo)定和維護(hù)保養(yǎng)等增值服務(wù)，主要應(yīng)用于電子行業(yè)的摻雜、光刻、刻蝕和CVD（MOCVD\PECVD）成膜等工藝環(huán)節(jié)和生物醫(yī)藥及食品飲料行業(yè)的配液等工藝環(huán)節(jié)。

截至2017年底，公司在半導(dǎo)體行業(yè)收入已從2013年的346萬(wàn)元快速增長(zhǎng)至2.10億元，占比已達(dá)到57%，半導(dǎo)體行業(yè)收入已經(jīng)成為公司收入的主要來(lái)源。公司2017年歸母凈利潤(rùn)4,929萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)8.8%

高純工藝系統(tǒng)是應(yīng)用于泛半導(dǎo)體（集成電路、平板顯示、光伏、LED等）和生物醫(yī)藥等先進(jìn)制造業(yè)的工藝介質(zhì)（氣體、化學(xué)品、水等）高純輸配系統(tǒng)，確保工藝介質(zhì)在制程中不受雜質(zhì)污染，是直接影響產(chǎn)品工藝精度與良率的關(guān)鍵配套系統(tǒng)，約占相關(guān)生產(chǎn)線固定資產(chǎn)投資總額的5%-8%。參照我們之前的統(tǒng)計(jì)，以中位數(shù)6.5%為固定資產(chǎn)投資總額的占比，2018年至2020年國(guó)內(nèi)高純工藝系統(tǒng)市場(chǎng)空間將達(dá)到109億、102億和49億元。

 

作為國(guó)內(nèi)高純工藝系統(tǒng)行業(yè)的先行者，公司在國(guó)內(nèi)同行業(yè)企業(yè)中具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。公司的客戶均是各所屬行業(yè)的領(lǐng)軍者或主要企業(yè)，如電子行業(yè)的中國(guó)電科第48研究所，光伏領(lǐng)域的晶澳、英利能源、晉能集團(tuán)、盛康光伏，LED領(lǐng)域的和輝光電、華磊光電、國(guó)星半導(dǎo)體，半導(dǎo)體領(lǐng)域的新進(jìn)芯、SK海力士，LCD領(lǐng)域的京東方，生物制藥領(lǐng)域的中信國(guó)健、揚(yáng)子江藥業(yè)、華瑞制藥、邁瑞生物、東富龍、易健生物等。在優(yōu)質(zhì)客戶群獲得的廣泛認(rèn)同，使公司擁有較強(qiáng)銷售定價(jià)能力。

5.3.長(zhǎng)川科技：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備龍頭

 

長(zhǎng)川科技主要為集成電路封裝測(cè)試企業(yè)、晶圓制造企業(yè)、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)等提供測(cè)試設(shè)備，集成電路測(cè)試設(shè)備主要包括測(cè)試機(jī)、分選機(jī)和探針臺(tái)等，目前公司主要產(chǎn)品包括測(cè)試機(jī)和分選機(jī)，是國(guó)內(nèi)為數(shù)不多的可以自主研發(fā)、生產(chǎn)集成電路測(cè)試設(shè)備的企業(yè)。

2012-2017年，公司收入與凈利潤(rùn)保持了高速增長(zhǎng)。2017年，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入1.80億元，較上年同期增長(zhǎng)44.84%；實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)5,025萬(wàn)，較上年同期增長(zhǎng)21.35%。此外，公司保持50%以上毛利率與25%以上的凈利率，足見(jiàn)公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

2016年、2017年全球半導(dǎo)體專用設(shè)備銷售規(guī)模分別達(dá)到412.4億美元和566.2億美元，其中測(cè)試設(shè)備銷售額分別為33.6億美元和34.6億美元。

隨著下游電子、汽車、通信等行業(yè)需求的穩(wěn)步增長(zhǎng)，以及物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算及大數(shù)據(jù)等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，集成電路產(chǎn)業(yè)面臨著新型芯片或先進(jìn)制程的產(chǎn)能擴(kuò)張需求，如SK海力士計(jì)劃于2016年第三季度量產(chǎn)3D NAND Flash;三星10納米FinFET制程技術(shù)已基本定型，將于2016年底實(shí)現(xiàn)10納米芯片制造工藝的規(guī)?；瘧?yīng)用;臺(tái)積電預(yù)計(jì)將于2018年上半年量產(chǎn)7納米芯片，并有望在2020年量產(chǎn)5納米芯片等，為包括測(cè)試設(shè)備在內(nèi)的集成電路專用設(shè)備行業(yè)帶來(lái)了廣闊的市場(chǎng)空間。伴隨著芯片尺寸及線條的縮小，用于檢驗(yàn)和測(cè)試FinFETs、3DNAND等新型芯片的測(cè)試設(shè)備需求不斷增加，由于尺寸減小相應(yīng)參數(shù)信號(hào)也會(huì)減弱，這對(duì)測(cè)試設(shè)備提出更高要求。

 

目前，公司生產(chǎn)的集成電路測(cè)試機(jī)和分選機(jī)產(chǎn)品已獲得長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電、士蘭微、華潤(rùn)微電子、日月光等多個(gè)一流集成電路企業(yè)的使用和認(rèn)可。其中，長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電為我國(guó)封裝測(cè)試龍頭企業(yè)，華潤(rùn)微電子、士蘭微為國(guó)內(nèi)知名IDM廠商。與國(guó)外設(shè)備供應(yīng)商相比，本土優(yōu)勢(shì)使得公司能提供快捷、高性價(jià)比的技術(shù)支持和客戶維護(hù)，且公司能更好地理解和掌握客戶個(gè)性需求，產(chǎn)品在本土市場(chǎng)適應(yīng)性更強(qiáng)。

5.4.精測(cè)電子：半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備新進(jìn)者

 

精測(cè)電子是國(guó)內(nèi)平板顯示模組檢測(cè)行業(yè)龍頭，主要從事平板顯示模組檢測(cè)技術(shù)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售。公司主營(yíng)產(chǎn)品包括模組檢測(cè)系統(tǒng)、面板檢測(cè)系統(tǒng)、OLED檢測(cè)系統(tǒng)、AOI光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)、TouchPanel檢測(cè)系統(tǒng)和平板顯示自動(dòng)化設(shè)備。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于TFT-LCD、OLED、TouchPanel等平板顯示器生產(chǎn)過(guò)程的檢測(cè)。

公司2017年?duì)I收8.95億元，同比增速高達(dá)71%，2018年一季度持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，增速達(dá)到63%。2017年歸母凈利潤(rùn)1.67億元，同比增長(zhǎng)69%，2018年一季度爆發(fā)增長(zhǎng)124%。公司毛利率和凈利率水平分別維持在50%和20%的水平，2017年全年毛利率47%、凈利率19%，盈利能力十分突出。

 

公司是國(guó)內(nèi)稀缺的覆蓋面板前中后段三大制程的檢測(cè)設(shè)備提供商，AOI光學(xué)檢測(cè)設(shè)備近幾年持續(xù)增長(zhǎng)，已有2014年的2%增長(zhǎng)至2017年的46%，成為公司收入的主要增長(zhǎng)動(dòng)力。

近期，精測(cè)電子借助在檢測(cè)領(lǐng)域積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，與韓國(guó)三星、SK海力士主供應(yīng)商之一的IT&T公司合作設(shè)立合資子公司，正式進(jìn)軍半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域，公司持有合資子公司65%的股權(quán)，并將半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備加入主營(yíng)業(yè)務(wù)之中。

 

參考我們之前的測(cè)算，2018年至2020年國(guó)內(nèi)披露的晶圓廠產(chǎn)線所帶動(dòng)的檢測(cè)設(shè)備需求規(guī)模分別為140億元、150億元、92億元，公司有望在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備需求提升的過(guò)程中，打開(kāi)全新的增長(zhǎng)空間。

 

5.5.盛美半導(dǎo)體：專注于半導(dǎo)體器件清潔技術(shù)

 

盛美半導(dǎo)體（ACM Research）于1998年成立于硅谷，專注于電拋光急事，在2006年引進(jìn)國(guó)內(nèi)落地上海張江，主要生產(chǎn)清洗設(shè)備、鍍銅設(shè)備等產(chǎn)品。公司2017年?duì)I收36.5百萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng)33.2%，公司十分注重研發(fā)，2017年研發(fā)費(fèi)用占收入比例高達(dá)14.1%。盛美擁有強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)，已獲得超過(guò)100項(xiàng)國(guó)內(nèi)及國(guó)際發(fā)明專利，并有400多項(xiàng)國(guó)內(nèi)及國(guó)際發(fā)明專利正在申請(qǐng)中。盛美于當(dāng)?shù)貢r(shí)間2017年11月3日在納斯達(dá)克IPO上市，成為國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)軍海外市場(chǎng)的一員。

從技術(shù)的角度看，70nm以下的芯片在制造過(guò)程中的難點(diǎn)，就在于硅片上的顆粒物和污染難以清洗。而到了20納米以上高端制程后，每一步供需都離不開(kāi)清洗工藝。而隨著半導(dǎo)體工藝從2D發(fā)展到3D，F(xiàn)inFET對(duì)硅片清洗技術(shù)提出了更新的挑戰(zhàn)。盛美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年的努力，提出了時(shí)序能激氣穴震蕩（TEBO）技術(shù)，可以覆蓋16nm-19nm制程的3D結(jié)構(gòu)的無(wú)損高效清洗。

 

雖然盛美半導(dǎo)體的市場(chǎng)份額較低，但其產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入了中芯國(guó)際、SK海力士等知名半導(dǎo)體制造廠商，并獲得了“02專項(xiàng)”的扶持。未來(lái)有望享受國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備需求紅利，并不斷通過(guò)自身研發(fā)拓展國(guó)產(chǎn)清洗設(shè)備的市場(chǎng)份額。

5.6.中微半導(dǎo)體：光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化先鋒

 

中微半導(dǎo)體（AMEC）深耕光刻機(jī)領(lǐng)域，在芯片介質(zhì)刻蝕設(shè)備、硅通孔刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備領(lǐng)域位列全球前三，成功進(jìn)入海內(nèi)外重要客戶供應(yīng)鏈。

 

中微芯片介質(zhì)設(shè)備已經(jīng)在10nm和7nm的研發(fā)線核準(zhǔn)數(shù)道BARK刻蝕應(yīng)用，成為標(biāo)配設(shè)備，并開(kāi)始5nm器件刻蝕開(kāi)發(fā)，目前共進(jìn)入25條芯片生產(chǎn)線，生產(chǎn)4300多萬(wàn)片晶圓，其中包括臺(tái)積電7nm、10nm量產(chǎn)線。公司該設(shè)備在臺(tái)積電擁有232個(gè)反應(yīng)臺(tái)，累計(jì)生產(chǎn)晶圓超過(guò)2400萬(wàn)片。此外，中微的電容型介質(zhì)刻蝕設(shè)備已進(jìn)入全球市場(chǎng)前三，僅次于東京電子和泛林。

硅通孔刻蝕設(shè)備方面，8英寸和12英寸設(shè)備國(guó)內(nèi)市占率超過(guò)50%。中微在3年內(nèi)運(yùn)出

 

100個(gè)反應(yīng)臺(tái)，在MEMS和CIS加工超過(guò)340萬(wàn)片晶圓。中微自主設(shè)計(jì)的MEMS刻蝕機(jī)達(dá)到國(guó)際最先進(jìn)水平，與歐美同類型設(shè)備相比具有良率高、輸出量大、成本低的優(yōu)勢(shì)，已成功進(jìn)入德國(guó)博世和意法半導(dǎo)體。中微的TSV硅通孔刻蝕機(jī)是業(yè)界唯一的雙臺(tái)機(jī)，無(wú)論技術(shù)性能、產(chǎn)率和成本都優(yōu)于美國(guó)科林和英國(guó)SPTS，市場(chǎng)份額呈現(xiàn)進(jìn)一步上升趨勢(shì)。

 

中微的MOCVD設(shè)備在國(guó)內(nèi)藍(lán)光LED市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)逆襲，其第二代Primo A7 MOCVD設(shè)備，已在國(guó)內(nèi)全面取代德國(guó)Aixtron和美國(guó)Veeco的設(shè)備，從2016年底至2018年1月累計(jì)獲得近400臺(tái)訂單，市占率達(dá)到80%。

公司和團(tuán)隊(duì)30年來(lái)一直致力于推動(dòng)刻蝕技術(shù)和設(shè)備發(fā)展，對(duì)包括400KHz雙電極反向耦合介質(zhì)刻蝕技術(shù)、TSV ICP小體積反應(yīng)器及高速氣體切換技術(shù)、雙反應(yīng)臺(tái)反應(yīng)器集成系統(tǒng)等19項(xiàng)關(guān)鍵的等離子刻蝕體技術(shù)進(jìn)行了創(chuàng)新和突破。

 

5.7.沈陽(yáng)拓荊：國(guó)產(chǎn)薄膜設(shè)備領(lǐng)先者

 

沈陽(yáng)拓荊有限公司，是由海外技術(shù)專家于2010年4月28日組建的高新技術(shù)企業(yè)，兩次承擔(dān)國(guó)家科技重大專項(xiàng)。公司致力于研究和生產(chǎn)世界領(lǐng)先的極大規(guī)模集成電路行業(yè)專用薄膜設(shè)備，矢志成為納米級(jí)薄膜制造技術(shù)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者。

 

介質(zhì)薄膜沉積和介質(zhì)蝕刻是芯片制造中應(yīng)用最廣泛的工藝制程設(shè)備。拓荊目前只做薄膜設(shè)備，且選擇了介質(zhì)薄膜沉積作為焦點(diǎn)，尤其是PECVD。等產(chǎn)品逐漸成熟后，也有可能向其他方向發(fā)展，但目前是聚焦薄膜設(shè)備。

 

從具體產(chǎn)品看，公司首先得到了國(guó)家十一五02重大專項(xiàng)的支持，開(kāi)發(fā)12寸的PECVD設(shè)備，主要應(yīng)用于90-65nm通用介質(zhì)薄膜工藝流程，已經(jīng)量產(chǎn)。隨著產(chǎn)品的成熟，公司將逐漸推進(jìn)至TSV先進(jìn)封裝和OLED柔性顯示封裝領(lǐng)域，同時(shí)也進(jìn)行了40-28nm通用介質(zhì)薄膜設(shè)備的開(kāi)發(fā)，已經(jīng)在客戶端得到了驗(yàn)證并且投入試量產(chǎn)。進(jìn)一步，公司繼續(xù)延伸到20nm以下先進(jìn)薄膜設(shè)備及工藝上，比如low-k，NDC，ACHM等。

 

公司2016年獲得十三五02重大專項(xiàng)研發(fā)的支持，著力點(diǎn)國(guó)家大存儲(chǔ)器項(xiàng)目的3D-NAND，開(kāi)發(fā)了疊加層專用設(shè)備，目前已經(jīng)有設(shè)備在客戶端應(yīng)用，相比同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手有一定超越性。

在整個(gè)制造過(guò)程中，前道工序的應(yīng)用都已經(jīng)經(jīng)過(guò)客戶的驗(yàn)證并逐步進(jìn)入量產(chǎn)；在晶圓制造的后道，也逐步進(jìn)入客戶驗(yàn)證；在封裝方面，公司在國(guó)內(nèi)有較大優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)份額領(lǐng)先；在OLED封裝領(lǐng)域，也有一些非常好的應(yīng)用。

此外，公司還與清華、負(fù)擔(dān)、中科院微電子所廣泛合作，開(kāi)展技術(shù)攻堅(jiān)，6年內(nèi)共為合作院校爭(zhēng)取到各類國(guó)家項(xiàng)目1930萬(wàn)元；為各合作單位提供研發(fā)設(shè)備900萬(wàn)元；此外，公司于本地區(qū)的中科院沈科儀，中科院自動(dòng)化所、中科院金屬所、大連理工大學(xué)、新松機(jī)器人、東北大學(xué)、遼寧大學(xué)等院所形成了不同層次不同領(lǐng)域的合作關(guān)系。